Bipolartransistor MJ413

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ413

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ413

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ413

Sie können den Transistor MJ413 durch einen 2N6678, BUX48, BUX48A, BUY69A, BUY70A, MJ12022, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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