Bipolartransistor MJ21196G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
• Verlustleistung, max: 250 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3
• Der MJ21196G ist die bleifreie Version des MJ21196-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ21196G ist der MJ21195.Sie können den Transistor MJ21196G durch einen MJ21194, MJ21194G oder MJ21196 ersetzen.