Bipolartransistor MG9410-R
Elektrische Eigenschaften des Transistors MG9410-R
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -260 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -260 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 35 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des MG9410-R
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MG9410-R
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