Bipolartransistor KTA1700-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1700-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des KTA1700-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTA1700-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1700 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KTA1700-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1700-O ist der KTC2800-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTA1700-O

Sie können den Transistor KTA1700-O durch einen 2SB649A ersetzen.
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