Bipolartransistor KSE5020-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE5020-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 500 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 18 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des KSE5020-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE5020-O kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE5020 liegt im Bereich von 15 bis 50, die des KSE5020-R im Bereich von 15 bis 30, die des KSE5020-Y im Bereich von 30 bis 50.
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