Bipolartransistor KSE13003H1

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13003H1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 9 bis 16
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des KSE13003H1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13003H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 9 bis 16 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13003 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13003H2 im Bereich von 14 bis 21, die des KSE13003H3 im Bereich von 19 bis 26.

Kennzeichnung

Der KSE13003H1-Transistor ist als "E13003-1" gekennzeichnet.
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