Bipolartransistor KSC5026M-N
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5026M-N
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 20
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular KSC5026-N transistor
Pinbelegung des KSC5026M-N
Klassifizierung von hFE
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