Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC2690-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.2 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 155 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des KSC2690-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC2690-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC2690 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des KSC2690-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSC2690-Y im Bereich von 160 bis 320.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC2690-O ist der KSA1220-O.
SMD-Version des Transistors KSC2690-O
Der 2SC2881 (SOT-89), FMMT624 (SOT-23), FMMT625 (SOT-23) und KTC4373 (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC2690-O-Transistors.
