Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1009CR
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1009CR
Der KSC1009CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC1009R. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1009CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1009CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1009CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1009CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1009CR ist der KSA709CG.
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