Bipolartransistor BST15

Elektrische Eigenschaften des Transistors BST15

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
  • Verlustleistung, max: 1.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BST15

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BST15-Transistor ist als "BT1" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BST15 ist der BST39.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com