Bipolartransistor BCP68-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP68-10

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BCP68-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCP68-10 ist der BCP69-10.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP68-10

Sie können den Transistor BCP68-10 durch einen BCP68 ersetzen.
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