Bipolartransistor BC878

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC878

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC878

Der BC878 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BC878-Transistor ist als "CAC" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC878 ist der BC877.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC878

Sie können den Transistor BC878 durch einen BC880 ersetzen.
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