Bipolartransistor 2SD2494-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2494-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 110 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 6500 bis 20000
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SD2494-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD2494-P kann eine Gleichstromverstärkung von 6500 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2494 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD2494-O im Bereich von 5000 bis 12000, die des 2SD2494-Y im Bereich von 15000 bis 30000.

Equivalent circuit

2SD2494-P equivalent circuit

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2494-P-Transistor könnte nur mit "D2494-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD2494-P ist der 2SB1625-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2494-P

Sie können den Transistor 2SD2494-P durch einen 2SD1893, 2SD1894 oder 2SD1895 ersetzen.
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