Bipolartransistor 2SD1907-S
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1907-S
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
- Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-262
Pinbelegung des 2SD1907-S
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
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