Bipolartransistor 2SD1893-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1893-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 110 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SD1893-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1893-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1893 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD1893-P im Bereich von 5000 bis 15000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1893-Q-Transistor könnte nur mit "D1893-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1893-Q ist der 2SB1253-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1893-Q

Sie können den Transistor 2SD1893-Q durch einen 2SD1894, 2SD1894-Q, 2SD1895, 2SD1895-Q oder 2SD2494 ersetzen.
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