Bipolartransistor 2SD1802

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1802

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des 2SD1802

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1802 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1802-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1802-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1802-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1802-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1802-Transistor könnte nur mit "D1802" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1802 ist der 2SB1202.

SMD-Version des Transistors 2SD1802

Der 2SD1623 (SOT-89) und 2SD1624 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD1802-Transistors.
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