Bipolartransistor 2SD1685-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1685-E

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1685-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1685-E kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1685 liegt im Bereich von 120 bis 560, die des 2SD1685-f im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD1685-G im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1685-E-Transistor könnte nur mit "D1685-E" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1685-E

Sie können den Transistor 2SD1685-E durch einen 2SD826 oder 2SD826-E ersetzen.
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