Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1263A
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.75 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1263A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1263A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1263A-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1263A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD1263A-R im Bereich von 40 bis 90.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1263A-Transistor könnte nur mit "D1263A" gekennzeichnet sein.