Bipolartransistor 2SD1250A-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1250A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1250A liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SD1250A-Q im Bereich von 60 bis 140.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1250A-P-Transistor könnte nur mit "D1250A-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1250A-P ist der 2SB928A-P.Sie können den Transistor 2SD1250A-P durch einen 2SB928A oder 2SB928A-P ersetzen.