Bipolartransistor 2SD1220-O

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-251

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1220-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1220 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1220-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1220-Y im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1220-O-Transistor könnte nur mit "D1220-O" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1220-O ist der 2SB905-O.Der FMMT625 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD1220-O-Transistors.