Bipolartransistor 2SC979-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC979-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des 2SC979-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC979-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC979 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SC979-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC979-O-Transistor könnte nur mit "C979-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC979-O ist der 2SA499-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC979-O

Sie können den Transistor 2SC979-O durch einen 2SC979A ersetzen.
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