Bipolartransistor 2SC5707

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5707

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 15 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 330 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des 2SC5707

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC5707-Transistor könnte nur mit "C5707" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5707 ist der 2SA2040.

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