Bipolartransistor 2SC536-H

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC536-H

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 480 bis 960
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC536-H

Der 2SC536-H wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC536-H kann eine Gleichstromverstärkung von 480 bis 960 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC536 liegt im Bereich von 60 bis 560, die des 2SC536-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SC536-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC536-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC536-G im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC536-H-Transistor könnte nur mit "C536-H" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC536-H

Sie können den Transistor 2SC536-H durch einen 2SC1570, 2SC1570-H, 2SC1571, 2SC1571-H, 2SC1842, 2SC2396, 2SC2545, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, BC182LB, BC184L, BC184LC oder NTE199 ersetzen.
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