Bipolartransistor 2SC5359-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5359-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 180 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SC5359-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC5359-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5359 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SC5359-R im Bereich von 55 bis 100.

Kennzeichnung

Der 2SC5359-O-Transistor ist als "2SC5359-O" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5359-O ist der 2SA1987-O.
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