Bipolartransistor 2SC4163-N

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4163-N

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SC4163-N

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC4163-N kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 50 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4163 liegt im Bereich von 15 bis 50, die des 2SC4163-L im Bereich von 15 bis 30, die des 2SC4163-M im Bereich von 20 bis 40.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4163-N-Transistor könnte nur mit "C4163-N" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC4163-N

Sie können den Transistor 2SC4163-N durch einen 2SC4108, 2SC4108-N, 2SC4164 oder 2SC4164-N ersetzen.
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