Bipolartransistor 2SC4117-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4117-GR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des 2SC4117-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC4117-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4117 liegt im Bereich von 200 bis 700, die des 2SC4117-BL im Bereich von 350 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4117-GR-Transistor könnte nur mit "C4117-GR" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC4117-GR ist der 2SA1587-GR.
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