Bipolartransistor 2SC3326-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3326-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 25 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 350 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SC3326-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3326-B kann eine Gleichstromverstärkung von 350 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3326 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des 2SC3326-A im Bereich von 200 bis 700.

Kennzeichnung

Der 2SC3326-B-Transistor ist als "CCB" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3326-B

Sie können den Transistor 2SC3326-B durch einen FMMT618, KTC2875 oder KTC2875-B ersetzen.
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