Bipolartransistor 2SC2880-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2880-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SC2880-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2880-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2880 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des 2SC2880-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der 2SC2880-O-Transistor ist als "AO" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2880-O ist der 2SA1200-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2880-O

Sie können den Transistor 2SC2880-O durch einen BF620, BF622, DXT5551 oder KTC4372 ersetzen.
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