Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2690-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.2 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 175 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SC2690-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2690-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2690 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SC2690-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC2690-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2690-P-Transistor könnte nur mit "C2690-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2690-P ist der 2SA1220-P.
SMD-Version des Transistors 2SC2690-P
Der FMMT624 (SOT-23), FMMT625 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC2690-P-Transistors.
