Bipolartransistor 2SB632K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB632K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB632K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB632K kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB632K-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB632K-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB632K-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB632K-Transistor könnte nur mit "B632K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB632K ist der 2SD612K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB632K

Sie können den Transistor 2SB632K durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA770, 2SB1185, 2SB1187, 2SB507, 2SB514, 2SB857, 2SB858, BD202, BD204, BD240, BD240A, BD242, BD242A, BD244, BD244A, BD302, BD304, BD534, BD536, BD540, BD540A, BD544, BD544A, BD546, BD546A, BD736, BD738, BD796, BD798, BD808, BD950, BDT82, BDT82F, D44C4, D44C5, D44C6, D44C7, D44C8, D44C9, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7, D45C8, D45C9 oder D45H8 ersetzen.
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