Bipolartransistor 2SB552-BN

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -220 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 50
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB552-BN kann eine Gleichstromverstärkung von 25 bis 50 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB552 liegt im Bereich von 25 bis 80, die des 2SB552-R im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB552-BN-Transistor könnte nur mit "B552-BN" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB552-BN ist der 2SD552-DN.Sie können den Transistor 2SB552-BN durch einen MJ15023, MJ15023G, MJ15025, MJ15025G, MJ21193, MJ21193G, MJ21195 oder MJ21195G ersetzen.