Bipolartransistor 2SB1624

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1624

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -110 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 30000
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB1624

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1624 kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1624-O liegt im Bereich von 5000 bis 12000, die des 2SB1624-P im Bereich von 6500 bis 20000, die des 2SB1624-Y im Bereich von 15000 bis 30000.

Equivalent circuit

2SB1624 equivalent circuit

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1624-Transistor könnte nur mit "B1624" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1624 ist der 2SD2493.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1624

Sie können den Transistor 2SB1624 durch einen 2SA1106, 2SB1555, 2SB1556, 2SB1557, 2SB1558, 2SB1559, 2SB1560, BDV66C oder BDV66D ersetzen.
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