Bipolartransistor 2SB1271-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-262

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1271-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1271 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1271-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1271-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1271-R-Transistor könnte nur mit "B1271-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1271-R ist der 2SD1907-R.