Bipolartransistor 2SB1205

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-251

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1205 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1205-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1205-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1205-T im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1205-Transistor könnte nur mit "B1205" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1205 ist der 2SD1805.