Bipolartransistor 2SB1126

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1126

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 4000
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der 2SB1126-Transistor ist als "BI" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1126 ist der 2SD1626.

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