Bipolartransistor 2SA503

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA503

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
  • Verlustleistung, max: 6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SA503

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA503 kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA503-GR liegt im Bereich von 100 bis 300, die des 2SA503-O im Bereich von 50 bis 150, die des 2SA503-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA503-Transistor könnte nur mit "A503" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA503 ist der 2SC503.
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