Bipolartransistor 2SA500-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA500-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des 2SA500-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA500-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA500 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA500-Y im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA500-O-Transistor könnte nur mit "A500-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA500-O ist der 2SC400-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA500-O

Sie können den Transistor 2SA500-O durch einen 2N2906, 2N3250, 2SA499, 2SA499-O, BCY70 oder BCY72 ersetzen.
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