Bipolartransistor 2SA1673-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1673-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 85 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SA1673-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1673-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1673 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SA1673-P im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1673-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1673-O-Transistor könnte nur mit "A1673-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1673-O ist der 2SC4388-O.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com