Bipolartransistor 2SA1363-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1363-G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -16 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1363-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1363-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1363 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SA1363-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1363-F im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Der 2SA1363-G-Transistor ist als "AG" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1363-G ist der 2SC3443-G.
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