Bipolartransistor 2SA1200

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1200

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1200

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1200 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1200-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA1200-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1200-Transistor könnte nur mit "A1200" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1200 ist der 2SC2880.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1200

Sie können den Transistor 2SA1200 durch einen BF621, BF623, DXT5401 oder KTA1660 ersetzen.
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