Bipolartransistor 2N6547

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6547

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 850 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 12 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 35 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6547

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6547

Sie können den Transistor 2N6547 durch einen 2N6678, BUX48, BUX48A oder MJ12022 ersetzen.
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