Bipolartransistor 2N6518

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6518

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 45 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N6518

Der 2N6518 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6518 ist der 2N6515.

SMD-Version des Transistors 2N6518

Der KST92 (SOT-23), MMBTA92 (SOT-23) und PZTA92 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N6518-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6518

Sie können den Transistor 2N6518 durch einen KSP92, MPSA92, MPSW92 oder MPSW92G ersetzen.
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