Bipolartransistor 2N6432

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6432

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des 2N6432

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6432 ist der 2N6430.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6432

Sie können den Transistor 2N6432 durch einen 2N6433 ersetzen.
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