Bipolartransistor 2N6373

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6373

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N6373

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6373 ist der 2N5955.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6373

Sie können den Transistor 2N6373 durch einen 2N6372 ersetzen.

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