Bipolartransistor 2N6331

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6331

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 6 bis 30
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6331

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6331

Sie können den Transistor 2N6331 durch einen 2N6328 ersetzen.

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