Bipolartransistor 2N6301

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6301

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N6301

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6301 ist der 2N6299.
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