Bipolartransistor 2N6052G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6052G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N6052G ist die bleifreie Version des 2N6052-Transistors

Pinbelegung des 2N6052G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6052G

Sie können den Transistor 2N6052G durch einen 2N6052, 2N6287, 2N6287G, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722 oder BD318 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com