Bipolartransistor 2N5683G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5683G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N5683G ist die bleifreie Version des 2N5683-Transistors

Pinbelegung des 2N5683G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5683G ist der 2N5685G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5683G

Sie können den Transistor 2N5683G durch einen 2N5683, 2N5684, 2N5684G, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 oder MJ14003G ersetzen.
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