Bipolartransistor 2N4900

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4900

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N4900

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N4900 ist der 2N4912.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4900

Sie können den Transistor 2N4900 durch einen 2N6372, 2N6467 oder 2N6468 ersetzen.

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