Bipolartransistor 2N3637

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3637

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -175 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -175 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Rauschzahl, max: 5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N3637

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N3637

Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N3637-Transistors.
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